RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
29
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.3
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
15.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
3555
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KB5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link