RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
37
Rund um 30% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
10.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
2179
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link