RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
33
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
12.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
3082
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link