RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB vs SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
36
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
11.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2135
2814
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B1G73DM0-YK0 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link