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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
36
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.6
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
21.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
15.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2481
3684
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
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