RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
36
Rund um -20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
12.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2481
3283
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.M8F 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.8F1 4GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.M8F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link