RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
62
Rund um 42% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
62
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
9.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2481
1772
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link