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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
10.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2481
2998
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
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Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
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