RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gesamtnote
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
36
Rund um -112% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.7
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.6
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
17
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
21.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
16.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2481
3320
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link