RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Gesamtnote
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
30
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
12.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2014
3090
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM-Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
INTENSO 5641160 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link