RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
35
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
10.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2014
2664
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM-Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link