RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
36
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
12.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2735
3169
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link