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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
53
Rund um 42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
53
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
13.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2735
2755
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
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