RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
38
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
10.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2735
2841
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link