RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
31
Rund um -19% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
13.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2735
2880
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB RAM-Vergleiche
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G2139U2 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link