RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
33
Rund um 6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
9.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
8.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2735
2286
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link