RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
37
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
9.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
7.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2735
2082
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link