RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
31
Rund um -11% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
10.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2735
2892
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link