RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gesamtnote
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
31
Rund um -11% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
10.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2735
2588
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link