RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
34
Rund um 9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
10.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2735
2739
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link