RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
45
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
12.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2735
2925
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB RAM-Vergleiche
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link