RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
71
Rund um 56% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
8.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2735
1902
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KQ9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link