RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Gesamtnote
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
35
Rund um -75% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
15.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2405
3395
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C11-4GISL 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link