RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
42
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
12.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
10.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2405
2701
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C11-4GISL 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link