RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
39
Rund um -105% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
15.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2324
3383
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link