RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB vs Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
41
Rund um 37% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
26
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
13.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
9.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2128
2016
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link