RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
35
Rund um 40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
21
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
11.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2581
2631
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link