RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
31
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.0
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
19.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
17.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2904
3929
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1333C9 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link