RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
34
Rund um 9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
11.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2904
2468
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link