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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
47
Rund um 34% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
47
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
7.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2904
2308
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB RAM-Vergleiche
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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