RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
36
Rund um -33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
11.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
14.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2729
3386
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link