RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gesamtnote
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
52
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.5
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
20.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
10.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2729
2472
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link