RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
42
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
11.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
13.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
11.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2729
2525
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link