RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
43
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
11.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
11.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
11.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2729
2615
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link