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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
83
Rund um 57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
83
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
8.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2729
1774
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Kingston 9965667-001.A00G 16GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Maxsun MSD48G30Q3 8GB
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G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
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