RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
38
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
10.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2960
3030
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
INTENSO 5641160 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link