RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
71
Rund um 52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
8.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2968
1586
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link