RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
48
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
13.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2968
2852
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link