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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
35
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
12.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2968
3052
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
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