RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
34
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
14.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2968
3546
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link