RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
34
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
14.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2968
3260
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link