RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
36
Rund um 6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
12.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2968
2737
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
AMD R748G2606U2S 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3LK2/4GX 2GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link