RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gesamtnote
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
32
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
9.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3067
2810
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Team Group Inc. Quad-Vulcan-1866 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link