RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
36
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.5
18.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
14.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3067
3396
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link