RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
36
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
11.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3067
3001
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link