RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
51
Rund um 45% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
12.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3067
2570
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link