RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
32
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
6.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3067
1844
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link