RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
47
Rund um 40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
47
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
11.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3067
2875
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link