RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
21
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.9
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.0
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
21
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
20.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
17.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3130
3668
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Team Group Inc. 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link