RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
33
Rund um 36% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
21
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
10.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3130
2876
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
SpecTek Incorporated OP:71100 03/13 2M 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.AU10C 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link